高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀

• 作者: 亢勇 何政 方家熊 李雪
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN材料 干法刻蚀 损伤
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 氮基紫外器件与材料
• 页码范围: 885-887
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.7|TN304.2+6
• 字数: 1933字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.025

摘要

初步研究了采用Cl2/Ar/He等离子体对MOCVD生长的背照射Al0.45Ga0.55N材料的ICP干法刻蚀工艺.采用离子束溅射生长的Ni作为刻蚀掩模,刻蚀速率随ICP直流偏压的增加而增加.采用传输线模型测量了刻蚀前后AlGaN材料方块电阻的变化,分析了干法刻蚀电学损伤与直流偏压的关系.用扫描电镜(SEM)观察了不同直流偏压下刻蚀台面形貌,并对其进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雪	传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所	2	18	2.0	2.0
2	何政	传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所	2	18	2.0	2.0
3	方家熊	传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所	6	34	4.0	5.0
4	亢勇	传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理所	3	10	2.0	3.0