LDMOS的局部电热效应分析

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等温 电热 触发点 ESD 晶格温度
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1823-1828
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3444字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.028

摘要

分析了LDMOS(1ateral DMOS)在一次雪崩击穿后的局部电热效应.提出并证明了等温分析和电热分析分别得到的LDMOS的触发点是不同的;分析了局部晶格温度在空间上的分布特点;并提出晶格温度弛豫时间会影响漏极电压弛豫时间.从而证明LDMOS工作于ESD(electro-static discharge)保护的大电流区时,电热分析比等温分析的模拟结果与实验结果符合得更好.