ITO薄膜直流反应磁控溅射制备及性能研究

• 作者: 夏冬林 杨晟 王树林 赵修建
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控反应溅射法 ITO 薄膜 光电性能
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 本期专题:光电显示材料
• 页码范围: 113-114,117
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 1921字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2005.11.030

摘要

以90wt%In和10wt%Sn铟锡合金为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片制备ITO透明导电薄膜.用紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪、XRD和SEM分别测试了ITO薄膜的紫外-可见光透射光谱、方块电阻、薄膜的结构和表面形貌.研究了氧分压对ITO薄膜性能的影响.实验结果表明,ITO薄膜随着氧分压的增加,薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带向短波长方向漂移.随着氧分压的增大,ITO薄膜的方块电阻增加,结晶程度变好,晶粒尺寸变大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
2	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
3	杨晟	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	9	160	6.0	9.0
4	王树林	武汉工程大学材料科学与工程学院	31	112	6.0	9.0