气体流量比对反应溅射Si3N4薄膜的影响

• 作者: 宋文燕 崔虎
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: Si3N4薄膜 磁控反应溅射 气体流量比
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2006.05.007

摘要

利用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯N2气为反应气体,在Si衬底上制备出了Si3N4薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响.结果表明,薄膜的沉积速率主要与气体的流量比有关,随着气体流量比的增加,沉积速率下降,靶面的溅射由金属模式过渡到氮化物模式;薄膜中N/Si的原子比增加;红外吸收谱的Si-N键的振动峰向标准峰逼近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋文燕		4	24	2.0	4.0
2	崔虎		5	31	3.0	5.0