CMOS集成温度传感器中的器件模型分析

• 作者: 彭伟 曾云 曾健平 熊琦
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 集成温度传感器 亚阈值模型 压电结型效应 电阻
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2438字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2006.07.008

摘要

根据CMOS集成温度传感器对器件的要求,对MOS器件的亚阈值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比,选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件,并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析,最后对不同类型电阻进行了分析对比,为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭伟	湖南大学应用物理系	14	46	4.0	6.0
2	曾健平	湖南大学应用物理系	90	672	12.0	22.0
3	曾云	湖南大学应用物理系	102	899	13.0	27.0
4	熊琦		24	49	4.0	6.0