CMOS工艺中栅耦合ESD保护电路

• 作者: 杜鸣 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电损伤 电容耦合 保护电路
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 547-549
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2006.04.009

摘要

为了克服大尺寸静电放电损伤防护元件存在的不均匀导通情况,提出了一种改进的静电放电损伤保护电路方案.该方案利用栅漏交叠区的结扩散电容作为耦合元件,电容耦合作用使大尺寸元件在静电放电损伤事件发生时能够均匀导通,从而有效提高静电放电损伤保护电路的抗静电能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜鸣	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	73	3.0	5.0
2	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0