气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析

• 作者: 张永刚 朱诚 李爱珍 郝国强 顾溢
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 光电探测器 暗电流分析 温度特性 零偏压下微分电阻与面积乘积
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 241-245
• 页数: 5页
• 分类号: TB4
• 字数: 2449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2006.04.001

摘要

从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm (x=0.53), 1.9μm (x=0.6)和2.2μm (x=0.7) pin InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明,在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高,i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李爱珍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0
2	张永刚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	66	595	12.0	21.0
3	朱诚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	51	3.0	3.0
4	顾溢	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	11	79	6.0	8.0
5	郝国强	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	110	4.0	4.0