MBE InGaAs/GaAs量子点及其红外吸收波长调制

• 作者: 孔梅影 曾一平 李晋闽
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 量子点 InGaAs/GaAs 红外吸收
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 78-80
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.z1.017

摘要

利用分子束外延枝术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过改变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,用于研制8～12μm大气窗口的红外探测器.观测发现随着量子点超晶格结构的InGaAs层厚度增加,其红外吸收峰蓝移,用量子点间的耦合作用随InGaAs层的厚度的增加而增强的观点对其机理给予解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所新材料部	75	652	13.0	23.0
2	曾一平	中国科学院半导体研究所新材料部	85	439	11.0	16.0
3	孔梅影	中国科学院半导体研究所新材料部	22	29	3.0	5.0