硒化温度对CuInSe2薄膜性能的影响

• 作者: 丁晓峰 庄大明 张弓 韩东麟
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CuiNSe2 薄膜 太阳能电池 固态源硒化 磁控溅射 硒化温度
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2106字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.z1.008

摘要

采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态源硒化方法制备CuInSe2(CIS)薄膜,考察了硒化温度对CIS薄膜性能的影响.采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率.结果表明,Cu-In薄膜由In和Cu11In9两相组成,在不同的硒化温度下制备的CIS薄膜,均具有单一的黄铜矿CuInSe2相结构.随着硒化温度的升高,CIS薄膜的晶粒直径增大,当硒化温度达到550℃时,晶粒直径已接近于2 μm.硒化温度继续升高,晶粒之间出现孔洞和缝隙等缺陷.530℃的硒化温度下制得的弱p型CIS薄膜,最符合CuInSe2的化学计量比,最适于制备太阳能电池吸收层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弓	清华大学机械工程系	81	914	16.0	27.0
2	庄大明	清华大学机械工程系	104	1374	22.0	32.0
3	丁晓峰	清华大学机械工程系	3	41	2.0	3.0
4	韩东麟	清华大学机械工程系	7	36	3.0	5.0