分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能

• 作者: 吴静 尚勋忠
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 InGaP/GaAs X-Ray 光荧光 霍尔测量
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学与电子技术
• 页码范围: 260-262
• 页数: 3页
• 分类号: O472
• 字数: 1920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2006.03.012

摘要

采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尚勋忠	湖北大学物理学与电子技术学院	21	78	6.0	8.0
2	吴静	湖北大学物理学与电子技术学院	5	4	1.0	1.0