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摘要:
阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势.介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性.由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3 %的溅射靶材可制备电阻率达4.7×10-4 Ω·cm、透射率超过90 %的ZAO薄膜)而具有广泛的应用前景.并针对靶材的制备和利用磁控溅射技术制备ZAO透明导电薄膜过程中存在的问题及发展方向进行了分析讨论.
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文献信息
篇名 基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究
来源期刊 液晶与显示 学科 物理学
关键词 磁控溅射 ZAO透明导电薄膜 溅射靶材 光电特性
年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目 研究报告
研究方向 页码范围 158-164
页数 7页 分类号 O484
字数 7378字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.02.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王华 桂林电子工业学院信息材料科学与工程系 98 463 13.0 17.0
2 肖华 桂林电子工业学院通信与信息工程系 1 19 1.0 1.0
3 任鸣放 桂林电子工业学院信息材料科学与工程系 10 74 4.0 8.0
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磁控溅射
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溅射靶材
光电特性
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相关学者/机构
期刊影响力
液晶与显示
月刊
1007-2780
22-1259/O4
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-203
1986
chi
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3141
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7
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