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摘要:
用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜.靶材的致密度达98.7%,电阻率为2.2×10-3Ω·cm;制得薄膜的最低电阻率为9.3×10-4Ω·cm,可见光平均透射率大于85%.浅析了靶材的组织结构及靶材的电学、力学性能和薄膜制备的主要实验参数对其光、电性能的影响.
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磁控溅射
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光电特性
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高导电性ZAO陶瓷靶材及薄膜的制备
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 陶瓷靶材 ZAO透明导电薄膜 热等静压 直流磁控溅射
年,卷(期) 2004,(2) 所属期刊栏目 HIC技术
研究方向 页码范围 31-34
页数 4页 分类号 TM24
字数 2506字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.02.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱德贵 西南交通大学材料科学与工程学院 54 305 10.0 15.0
2 龙涛 西南交通大学材料科学与工程学院 3 34 1.0 3.0
3 王良辉 西南交通大学材料科学与工程学院 14 77 4.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
陶瓷靶材
ZAO透明导电薄膜
热等静压
直流磁控溅射
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电子元件与材料
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1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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