金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究

• 作者: 夏冬林 徐慢 杨晟 赵修建
• 来源期刊: 武汉理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝诱导晶化 低温晶化 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 7-9
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4431.2006.06.003

摘要

采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后样品在氮气气氛下温度为500 ℃的条件下退火,成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜.利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法,研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程.实验结果表明,铝膜厚度较厚的样品在500 ℃下退火1 h晶化为较好的多晶硅薄膜,而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
2	徐慢	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	10	206	6.0	10.0
3	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
4	杨晟	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	9	160	6.0	9.0