一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究

• 作者: 刘伦才 刘道广 张静 李荣强 蒲林 谭开洲
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅低噪声放大器 S参数 测试基座
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: SiGe技术专题
• 页码范围: 572-575
• 页数: 4页
• 分类号: TN407|TN722.3
• 字数: 2049字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.008

摘要

对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座.通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离度(S12)、1 dB压缩点(P1dB),三阶互调节点(IP3)和噪声系数(NF)等参数的测试,验证了测试系统的准确性.对所开发的单片SiGe低噪声放大器进行了测试,获得了准确的测试数据,准确表征了SiGe低噪声放大器的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒲林		1	1	1.0	1.0
2	刘伦才		3	21	2.0	3.0
3	李荣强		1	1	1.0	1.0
4	刘道广		6	45	3.0	6.0
5	张静		2	6	1.0	2.0