InP/Si键合界面热应力分析

• 作者: 于丽娟 伊晓燕 刘志强 王立彬 王良臣 郭金霞 陈宇 马龙
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InP/Si 键合 热应力 退火温度
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 429-433
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3876字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.04.023

摘要

从理论上分析了键合热应力产生的原因,在此基础上,采用双层条状金属热应力模型讨论InP/Si键合过程中应力的大小及分布情况.结果表明, 由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,同时InP/Si键合合适的退火温度应该在250～300 ℃.最后在300 ℃退火条件下很好地实现了InP/Si键合,界面几乎没有气泡,有效键合面积超过90%.