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摘要:
采用射频磁控溅射在玻璃基片上沉积具有紫外吸收CeO2-TiO2混和薄膜.通过制备一系列不同物质的量浓度比的n(CeO2):n(TiO2)靶材(1.0:0,0.90:0.10,0.80:0.20,0.70:0.30, 0.60:0.40,0.50:0.50,0.40:0.60,0.30:0.70,0.20:0.80,0.10:0.90,0:1.0), 研究其紫外吸收性能最佳的物质的量浓度比.TiO2加入CeO2后,改变CeO2的结晶状态并提高UV吸收.采用Raman和XPS表征薄膜的特性,物质的量浓度比值在n(CeO2):n(TiO2)=0.5:0.5,0.6:0.4时,薄膜为非晶态,并具有高的紫外吸收(98%)和可见光透过率(70%~80%); XPS分析表明薄膜存在Ce4+,Ce3+和Ti4+.
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文献信息
篇名 磁控溅射法制备CeO2-TiO2紫外吸收薄膜
来源期刊 武汉理工大学学报 学科 物理学
关键词 CeO2-TiO2薄膜 UV吸收 磁控溅射
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 材料科学与工程
研究方向 页码范围 7-9,12
页数 4页 分类号 O484
字数 2462字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1671-4431.2006.01.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周学东 武汉理工大学硅酸盐工程中心教育部重点实验室 31 188 8.0 12.0
2 赵修建 武汉理工大学硅酸盐工程中心教育部重点实验室 220 2735 25.0 43.0
3 倪佳苗 武汉理工大学硅酸盐工程中心教育部重点实验室 6 40 4.0 6.0
4 杨晟 武汉理工大学硅酸盐工程中心教育部重点实验室 9 160 6.0 9.0
5 龚勇宏 武汉理工大学硅酸盐工程中心教育部重点实验室 3 15 3.0 3.0
6 肜建娜 武汉理工大学硅酸盐工程中心教育部重点实验室 3 40 2.0 3.0
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CeO2-TiO2薄膜
UV吸收
磁控溅射
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武汉理工大学学报
月刊
1671-4431
42-1657/N
大16开
武昌珞狮路122号武汉理工大学(西院)
38-41
1979
chi
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