用SF6／O2气体ICP刻蚀硅深槽基片温度对刻蚀速率的影响

• 作者: 任泰安 吕春红
• 来源期刊: 河南机电高等专科学校学报
• 学科: 工学
• 关键词: ICP 基片温度 刻蚀 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TN405

摘要

以SFe／O2为刻蚀气体用RIE刻蚀机刻蚀Si．当功率为500W，偏压为250V，气体流量45mL／min．压力分别为2．7Pa、6．7Pa、11Pa时，基片温度的改变对其刻蚀速率的影响。实验结果表明：进行室温刻蚀（≥0℃）和低温刻蚀（≤0℃）时．其刻蚀机理不尽相同．当基片温度为0℃～80℃时，对刻蚀速率起关键作用的是各向同性的化学反应刻蚀。当基片温度为-120℃～0℃时．对刘蚀速率起关键作用的是各向异性的物理刻蚀，可以获得理想的尺寸和形貌。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕春红		24	68	6.0	8.0
2	任泰安	西安交通大学精密工程研究所	5	14	3.0	3.0