Pt电极的磁增强反应离子刻蚀的研究

• 作者: 吴小鹏 熊娟 胡宽 陈侃松 顾豪爽
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 Pt电极 MERIE 刻蚀速率 表面形貌
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 62-64
• 页数: 3页
• 分类号: TN65
• 字数: 2360字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.04.019

摘要

以SF6/O2作为刻蚀气体,用磁增强反应离子刻(MERIE)技术,对磁控溅射法制备的Pt电极进行了刻蚀.结果表明:Pt的刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率以及刻蚀功率都有一定关系.在相同功率下,R[O2:(SF6+O2)]=2/6,刻蚀速率达到极大值,功率为120 W时,刻蚀速率极大值为12.4 nm/min.AFM分析表明,薄膜表面的粗糙度随刻蚀功率增加而变大,均方根粗糙度从120 W时的0.164 mm增加到160 W时的0.285 nm.经优化工艺参数刻蚀后的Pt电极图形结构平整,边缘整齐.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴小鹏		1	1	1.0	1.0
2	陈侃松		1	1	1.0	1.0
3	顾豪爽		2	7	1.0	2.0
4	胡宽		2	7	1.0	2.0