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蓝宝石上生长GaN外延层的一种改良技术
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摘要：
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湿法腐蚀制备 GaN LED 蓝宝石图形衬底的工艺方法研究
蓝宝石图形衬底
湿法腐蚀
腐蚀速率
GaN L ED
AlN／蓝宝石模板上与GaN近晶格匹配InAlN薄膜的研究
InAlN薄膜
GaN
近晶格匹配
蓝宝石上横向外延GaN薄膜
GaN
横向外延
金属有机物气相外延
(0001)蓝宝石衬底
腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长GaN质量的影响
图形衬底
金属有机物化学气相沉积
氮化镓
内容分析
关键词云
关键词热度
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引文网络
引文网络
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2006(0)
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研究主题发展历程
节点文献
外延层
GaN
MOCVD
改良技术
反应室
蓝宝石衬底
汽相外延
固体电子学
缓冲层
原子力显微镜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
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