Cu3N薄膜的制备及其霍尔效应研究

• 作者: 岳光辉 杨强 王明旭 范晓彦 闫德 闫鹏勋
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铜薄膜 XRD SEM AFM 霍尔效应
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 1108-1112
• 页数: 5页
• 分类号: TB443
• 字数: 3274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.041

摘要

采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜择优[100]晶向生长.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密.用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加.霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加.随温度的降低薄膜的载流子浓度降低.我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫鹏勋	兰州大学等离子体与金属材料研究所	50	460	12.0	18.0
2	杨强	兰州大学等离子体与金属材料研究所	9	20	4.0	4.0
3	岳光辉	兰州大学等离子体与金属材料研究所	6	36	4.0	6.0
4	闫德	兰州大学等离子体与金属材料研究所	2	4	1.0	2.0
5	王明旭	兰州大学等离子体与金属材料研究所	3	33	3.0	3.0
7	范晓彦	兰州大学等离子体与金属材料研究所	3	27	2.0	3.0