射频磁控溅射法制备Cu3N薄膜及其性能研究

• 作者: 吴志国 岳光辉 王君 袁晓梅 闫鹏勋
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铜薄膜 射频磁控溅射 表面形貌 电阻率 光学带隙 显微硬度
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 635-640
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3577字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.045

摘要

采用反应射频磁控溅射法,在氮气和氩气的混合气体氛围中,玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了混合气体中氮气分量对Cu3N薄膜的择优生长取向、平均晶粒尺寸、电阻率和光学带隙的影响.原子力显微镜,X射线衍射仪,四探针电阻仪,紫外可见光谱分析及纳米压痕仪等测试结果表明:薄膜由紧密排列的柱状晶粒构成,表面光滑致密;随着氮气分量的增加,Cu3N薄膜由沿(111)晶面择优生长转变为沿(100)晶面择优生长,晶粒尺寸变小,电阻率ρ从1.51×102Ω·cm逐渐增加到1.129×103Ω·cm;薄膜的光学带隙在1.34～1.75eV间变化;薄膜的硬度约为6.0GPa,残余模量约为108.3GPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王君	兰州大学等离子体与金属材料研究所	31	381	10.0	19.0
2	吴志国	兰州大学等离子体与金属材料研究所	14	187	8.0	13.0
3	闫鹏勋	兰州大学等离子体与金属材料研究所	50	460	12.0	18.0
4	袁晓梅	兰州大学等离子体与金属材料研究所	1	8	1.0	1.0
5	岳光辉	兰州大学等离子体与金属材料研究所	6	36	4.0	6.0