Ga杂质分布对晶体管V-I特性的影响

• 作者: 程文雍 裴素华 黄萍
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: Ga 浓度梯度 SiO2 器件耐压 负阻效应
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1884-1887
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.4
• 字数: 2967字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2006.12.008

摘要

利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区,制备出NPN晶体管样品.实验结果与理论分析表明:Ga的线性缓变分布和SiO2薄膜覆盖下的扩散,大幅度提高了器件耐压水平与综合电学性能;IC-VCE中的负阻效应是由Ga原子表面浓度经二次氧化变为耗尽状态所致,对此,可采用Si3N4/SiO2/Si复合结构加以改善;总之,开管扩镓是一种制备高压器件不可比拟的新途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄萍		19	95	6.0	9.0
2	裴素华		27	70	6.0	7.0
3	程文雍		5	16	2.0	4.0