电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究

• 作者: 徐晨 沈光地 田增霞 罗丹 舒雄文
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅(a-Si) 光谱椭偏仪 折射率 消光系数 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 905-908
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1|O484.4+1
• 字数: 2056字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.08.001

摘要

研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅(a-Si)光学薄膜的折射率和消光系数的影响.结果表明,在300～1100 nm的波长范围内,真空室真空度、基片温度和沉积速率越高,则所得a-Si薄膜折射率越高,消光系数越大.并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a-Si膜镀制,发现在选择初始真空为1E-6×133 Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0.2 nm/s时所得高反镜的光学特性比较好,在808 nm处折射率和消光系数分别为3.1和1E-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	舒雄文	北京工业大学光电子技术实验室	8	67	4.0	8.0
2	徐晨	北京工业大学光电子技术实验室	63	295	9.0	13.0
3	田增霞	北京工业大学光电子技术实验室	7	44	3.0	6.0
4	沈光地	北京工业大学光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
5	罗丹	北京工业大学光电子技术实验室	8	49	4.0	7.0