紫外写入技术制备光波导器件研究

• 作者: 吴远大 夏君磊 安俊明 李建光 王红杰 胡雄伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外写入 折射率 光波导 分束器
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 744-746
• 页数: 3页
• 分类号: TN814+.6
• 字数: 1862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.04.032

摘要

研究了采用PECVD方法生长的Si基SiO2波导材料的光敏特性.经过高压载氢处理,利用KrF准分子激光脉冲(工作波长为248nm)在波导材料中诱导出的折射率变化量达到0.005,相对值约增加0.34%.详细研究了紫外光诱导出的折射率变化沿样品深度方向的分布情况.最后,采用紫外写入法在PECVD方法生长的Si基SiO2波导芯层中制备出了单模波导和Y分束器样品,并观测到了通光现象,实测结果与模拟结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴远大	中国科学院半导体研究所光电研发中心	25	34	3.0	4.0
2	夏君磊	中国科学院半导体研究所光电研发中心	11	27	3.0	4.0
3	安俊明	中国科学院半导体研究所光电研发中心	45	77	5.0	6.0
4	李建光	中国科学院半导体研究所光电研发中心	22	67	5.0	6.0
5	王红杰	中国科学院半导体研究所光电研发中心	32	93	6.0	7.0
6	胡雄伟	中国科学院半导体研究所光电研发中心	41	134	6.0	9.0