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文献信息
| 篇名 | 采用SiN薄层的非极性GaN基器件 | ||
| 来源期刊 | 半导体信息 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | GaN SIN 缺陷密度 外延层 MOCVD 光致发光 淀积 发光强度 加里福尼亚 位错密度 | ||
| 年，卷（期） | bdtxx_2007,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 25-26 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TN303 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
GaN
SIN
缺陷密度
外延层
MOCVD
光致发光
淀积
发光强度
加里福尼亚
位错密度
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
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