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采用碳纳米管改善GaN HEMT器件结构散热
GaN HEMT
碳纳米管
倒装
散热
AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性
氮化镓
高电子迁移率器件
高温性能
GaN微电子器件的研究进展
GaN
GaN材科
GaN器件
非极性GaN薄膜与器件的研究进展
非极性GaN
蓝宝石
同质外延
GaN基器件
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 采用SiN薄层的非极性GaN基器件
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 GaN SIN 缺陷密度 外延层 MOCVD 光致发光 淀积 发光强度 加里福尼亚 位错密度
年,卷(期) bdtxx_2007,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 25-26
页数 2页 分类号 TN303
字数 语种
DOI
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引文网络
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2007(0)
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研究主题发展历程
节点文献
GaN
SIN
缺陷密度
外延层
MOCVD
光致发光
淀积
发光强度
加里福尼亚
位错密度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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