自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性

• 作者: 孙剑 孙景昌 杜国同 杨天鹏 白亦真
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 声表面波滤波器 金刚石 ZnO薄膜 金属有机化合物气相沉积
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 822-826
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2393字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2007.05.028

摘要

采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm2/(V·s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙剑	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	3	6	2.0	2.0
5	白亦真	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	9	18	3.0	3.0
9	杨天鹏		1	3	1.0	1.0
10	孙景昌	大连理工大学物理与光电工程学院	3	24	3.0	3.0