感应耦合等离子刻蚀InP工艺

• 作者: 张瑞康 张靖 江山 陈磊
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: 干法刻蚀 感应耦合等离子体 InP 刻蚀端面
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 276-280
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.016

摘要

采用Cl2/CH4/N2感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀.系统地讨论了RF功率、ICP功率、反应腔压力、气体流量等工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速率达到841 nm/min,与SiO2的选择比达到15:1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈磊		3	12	1.0	3.0
2	张靖		4	12	1.0	3.0
3	张瑞康		4	13	1.0	3.0
4	江山		15	47	3.0	6.0