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GaN器件需要更好的衬底
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摘要：
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采用碳纳米管改善GaN HEMT器件结构散热
GaN HEMT
碳纳米管
倒装
散热
GaN微电子器件的研究进展
GaN
GaN材科
GaN器件
AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性
氮化镓
高电子迁移率器件
高温性能
GaN微波器件转移特性脉冲测试研究
转移特性
脉冲
静态工作点
内容分析
关键词云
关键词热度
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引文网络
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2007(0)
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研究主题发展历程
节点文献
市场研究公司
晶格匹配
激光二极管
市场评估
Corning
小型公司
SAMSUNG
预测需求
克立
研究中心
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
总被引数（次）
664
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