低真空下射频磁控溅射法制备ITO薄膜

• 作者: 孙卓 朱红兵 李晓冬 褚家宝 陈奕卫 黄士勇 黄素梅
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化铟锡 薄膜 射频磁控溅射 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 553-559
• 页数: 7页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.011

摘要

在低真空(2.3×10-3 Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜.溅射温度200 ℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90 %氧化铟、10 %氧化锡的陶瓷靶.用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构, 用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分.ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80 %～95 %).在低工作气压(1 Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好.在高工作气压(2 Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜.