沉积参数及退火条件对AlN薄膜电学性能的影响

• 作者: 周继承 胡利民
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 磁控溅射 击穿电压 快速退火
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 页码范围: 1336-1341
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055|TN305.8
• 字数: 3979字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2007.08.019

摘要

利用射频反应磁控溅射在Si(100)基底上沉积AlN介质薄膜,并在不同温度下对薄膜进行快速退火.通过抗电强度测试仪、电容电压测试C-V、X射线衍射仪、电子能谱仪、原子力显微镜和椭圆偏振仪等研究薄膜的击穿电压、介电常数、晶体结构、化学成分、表面形貌及薄膜的折射率.结果表明:溅射功率和溅射气压对薄膜的击穿电压有很大的影响,溅射功率为250 W,气压为0.3 Pa时薄膜的抗电性能较好;薄膜的成分随溅射气压发生变化,N与Al摩尔比最高达到0.845;随退火温度的增加,薄膜晶体结构发生非晶-闪锌矿-纤锌矿的转变;薄膜的折射率随退火温度的升高而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周继承	中南大学物理科学与技术学院	96	780	15.0	21.0
2	胡利民	中南大学物理科学与技术学院	2	17	2.0	2.0