对靶磁控溅射制备VOx薄膜及其退火研究

• 作者: 刘志刚 吕宇强 梁继然 胡明 韩雷
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化钒 薄膜 磁控溅射 退火 电阻温度系数
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 54-57
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2007.07.018

摘要

利用对靶磁控溅射法在玻璃基片上制备VOx薄膜,采用正交实验方法研究了镀膜条件对VOx薄膜电阻温度系数(TCR)的影响,得到优化的镀膜工艺参数,主要包括Ar∶O2为48∶0.4、工作压力恒定为2 Pa、基底的温度为室温27℃、溅射功率保持在180 W,在此基础上,进行不同温度条件的真空退火,得到薄膜TCR在-2.5%～-4.5%范围.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱法(XPS)分析了退火对提高薄膜TCR的作用,并找出VOx薄膜阻值与TCR的优化组合.同时,还观察到薄膜表面形貌的变化以及退火后薄膜中VO2,V2O3,V2O5的比例变化情况,并对其机理进行解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
2	刘志刚	天津大学电子信息工程学院	38	320	9.0	16.0
3	梁继然	天津大学电子信息工程学院	31	108	6.0	8.0
4	吕宇强	天津大学电子信息工程学院	11	99	5.0	9.0
5	韩雷	天津大学电子信息工程学院	8	40	4.0	6.0