无铅互连凸点电迁移失效的四探针测量

• 作者: 吴丰顺 吴懿平 张伟刚 张金松
• 来源期刊: 华中科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 四探针测量法 电迁移 凸点下金属化层 倒装芯片
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 85-88
• 页数: 4页
• 分类号: TG113
• 字数: 2991字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2007.06.026

摘要

针对无铅互连电迁移失效这一高密度封装时面临的重要课题进行了研究.采用四探针法分别监测了电流密度为1.5×104 A/cm2和2.2×104 A/cm2时Sn3.5Ag0.5Cu互连凸点上电压的变化,发现电流密度为2.2×104 A/cm2时凸点的平均电阻变化率超过电迁移失效的临界值10 %,分析了其微观结构的扫描电镜照片,所提出的发生电迁移失效的电流密度值为凸点设计提供十分有用的数据.对无铅互连凸点的电迁移失效过程和四探针测量法的测量误差进行了分析,提出了采用四凸点结构提高测量精度的改进措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴懿平	华中科技大学塑性成形模拟及模具技术国家重点实验室	79	771	16.0	24.0
3	吴丰顺	华中科技大学塑性成形模拟及模具技术国家重点实验室	70	604	15.0	21.0
5	张金松	华中科技大学塑性成形模拟及模具技术国家重点实验室	16	228	9.0	15.0
10	张伟刚	华中科技大学塑性成形模拟及模具技术国家重点实验室	5	50	4.0	5.0