射频溅射法生长ZnO薄膜的参数研究

• 作者: 汪建华 王升高 耿茜
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO陶瓷靶材 薄膜 射频 X射线衍射分析 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 250-253
• 页数: 4页
• 分类号: TB381|TB321
• 字数: 1503字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.05.007

摘要

以ZnO陶瓷为溅射靶材,通入纯氩气,使用射频溅射法在玻璃基片上制备ZnO薄膜,研究了气体压强、基片温度、溅射功率等对薄膜性质的影响.通过XRD及原子力显微镜(AFM)等检测得出制备C轴(002)ZAO薄膜的最佳工艺条件为:溅射压强0.4Pa;溅射功率200 W;基片温度300 ℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王升高	武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室	35	104	5.0	8.0
2	汪建华	武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室	123	698	14.0	19.0
3	耿茜	武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室	4	9	2.0	3.0