GaN/AlN量子点结构中的应变分布和压电效应

• 作者: 吕燕伍 梁双
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN/AlN量子点结构 应变 自发极化 压电极化
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: O471
• 字数: 3129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.009

摘要

从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化,使电子聚集在量子点顶部,空穴聚集在量子点下面的湿润层中,在量子点结构中产生显著的极化电场,并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕燕伍	北京交通大学物理系	16	32	3.0	4.0
2	梁双	北京交通大学物理系	3	6	1.0	2.0