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摘要:
采用sol-gel法制作了28 nm厚的SrTiO3薄膜和Au/SrTiO3/LaNiO3/Si(100)三明治结构的器件,并研究其物理性能.结果显示:室温下,用直流电压可以使薄膜的电阻在高低阻态间进行转换.最大的电阻变化率约为10 309.对I-V特性的分析,发现在高阻态时,有空间电荷限制电流机制(SCLC)和肖特基势垒导电机制存在.应用在高场区有非对称电子陷阱中心的空间电荷限制电流理论,解释了这种电阻开关现象.
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文献信息
篇名 Sol-gel 法制备SrTiO3薄膜的电阻开关性能研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 电阻开关 交流阻抗谱 肖特基发射 空间电荷限制电流 电子陷阱
年,卷(期) 2008,(12) 所属期刊栏目 研究与试测
研究方向 页码范围 66-69
页数 4页 分类号 TB61+92
字数 3485字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.12.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 苏朝辉 1 4 1.0 1.0
2 张婷 1 4 1.0 1.0
3 王继鹏 1 4 1.0 1.0
4 张盈 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
电阻开关
交流阻抗谱
肖特基发射
空间电荷限制电流
电子陷阱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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