基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
文章针对空间用功率MOSFET器件2N7266进行了60Co源γ射线辐射试验研究.在辐射过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机实时监测器件电参数随辐射剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压,漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征,得出了被试器件抗总剂量辐射的指标.研究结果可为被试器件在航天器型号的使用提供技术参考依据.
推荐文章
剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响
功率MOSFET器件
γ射线
剂量率
总剂量效应
星用功率 MOSFET 器件单粒子烧毁试验研究
功率MOSFET器件
单粒子烧毁
锎源
功率MOSFET器件单粒子烧毁252Cf源模拟试验研究
单粒子烧毁
辐射环境
功率MOSFET器件
252Cf源
大容量Flash存储器空间辐射效应试验研究
航天器
Flash存储器
辐射效应
电离总剂量
单粒子效应
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 空间用功率MOSFET器件2N7266总剂量辐射效应试验研究
来源期刊 航天器环境工程 学科 工学
关键词 辐射效应 功率MOSFET器件 总剂量 γ射线
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目 空间特殊环境效应
研究方向 页码范围 10-14
页数 5页 分类号 TN406
字数 3166字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-1379.2008.01.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 曹洲 兰州空间物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室 14 60 4.0 7.0
2 薛玉雄 兰州空间物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室 22 63 4.0 6.0
3 田恺 兰州空间物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室 5 17 2.0 4.0
4 杨世宇 兰州空间物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室 11 21 2.0 4.0
5 郭祖佑 兰州空间物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室 2 1 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (1)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1992(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2008(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2015(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
辐射效应
功率MOSFET器件
总剂量
γ射线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
航天器环境工程
双月刊
1673-1379
11-5333/V
大16开
北京市朝阳区民族园路5号
1984
chi
出版文献量(篇)
2212
总下载数(次)
8
总被引数(次)
10138
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
论文1v1指导