用逆压电极化模型对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究

• 作者: 张志国 李若凡 杨瑞霞 武一宾 许娜颖 马永强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 Poisson-Schrodinger方程 逆压电极化模型 电流崩塌
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2450-2455
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.074

摘要

通过自洽求解一维Poisson-Schrodinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算结果显示:逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20nm时.不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013cm-2;当等效外电压分别为10和15 V时,2DEG浓度降低至1.04×1013 cm-2和0.789×1013cm-2.用该模型解释了2DEG退化及电流崩塌现象产生的原因.并讨论了抑制电流崩塌的办法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	武一宾	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	39	4.0	4.0
3	张志国	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	48	5.0	5.0
4	李若凡	河北工业大学信息工程学院	3	11	2.0	3.0
8	许娜颖	河北工业大学信息工程学院	1	4	1.0	1.0