氮气分压对Cu3N薄膜性质的影响

• 作者: 孔凡成 方延平 袁晓梅 郑晓慧 闫鹏勋
• 来源期刊: 中国矿业大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铜薄膜 射频磁控溅射 表面形貌 择优取向
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 276-280
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1964.2008.02.027

摘要

采用反应射频磁控溅射法,通过改变混合气体(N2+Ar)中氮气分压来改变元素的沉积能量和密度,在玻璃基底上制备出了表面光滑、致密的氮化铜(Cu3N)薄膜,研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜的择优生长取向和晶粒尺寸的影响.结果表明:随着氮气分压的增加,Cu3N薄膜由沿(111)晶面择优生长转变为沿(100)晶面择优生长,晶粒尺寸变小,表面均方根粗糙度和光学带隙Eopt增大;薄膜在300 ℃的条件下会完全分解成铜和氮气;薄膜表面的Cu元素以+1价形式存在,Cu2p3/2,Cu2p1/2和N1s峰分别位于932.7,952.7和397.3 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁晓梅	徐州空军学院航空弹药系	18	21	2.0	4.0
2	方延平	徐州空军学院航空弹药系	7	42	2.0	6.0
3	闫鹏勋	兰州大学等离子体与金属材料研究所	50	460	12.0	18.0
4	孔凡成	徐州空军学院航空弹药系	3	2	1.0	1.0
5	郑晓慧	徐州空军学院航空弹药系	2	5	1.0	2.0