改善功率MOSFET器件UIS测试能力的方法

• 作者: 顾晓健
• 来源期刊: 电子工程师
• 学科: 工学
• 关键词: POWER MOSFET UIS 导通电阻
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 测控技术
• 页码范围: 15-17,24
• 页数: 4页
• 分类号: TM930.12
• 字数: 3569字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-4888.2008.08.006

摘要

介绍了功率MOSFET器件的UIS(非钳位感应开关)测试原理及重要性,通过实际案例,解释UIS与产品质量之间相互关系,分析影响UIS能力的因素,提出改善功率MOSFET器件的3种方法,即改善contact工艺、减小RB,改变设计.实际案例中的两种MOSFET器件A和B应用了这3种方法的组合,使功率MOSFET器件的UIS能力和测试合格率有了很大的提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓健		1	9	1.0	1.0