利用自洽计算研究InP基HEMT器件的材料性能

• 作者: 曾一平 李东临
• 来源期刊: 北京石油化工学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HEMT 二维电子气 有限差分 自洽计算
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 51-56
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 3344字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-2565.2008.02.014

摘要

利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr(o)dinger方程和Poisson方程的自洽求解,得到器件中二维电子气(2DEG)面密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓度.讨论了掺杂浓度、空间隔离区宽度、Schottky势垒层厚度以及外加电压对2DEG浓度的影响,得到最佳器件参数约为5.2×1012cm-1.所得结果对器件的设计和参数设定具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李东临	北京石油化工学院数理系	11	30	3.0	5.0