Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂

• 作者: 林涛 郑凯 马骁宇
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光学材料 半导体激光器 量子阱混杂 扩散 蓝移 AlGaInP
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 2209-2214
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 5962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2008.11.032

摘要

杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率.以Zn2As2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650 nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验.实验发现,随着扩散时间从20～120 min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53 nm;当扩散时间超过60 min后,样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32 nm.分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga0.51In0.49P缓冲层的影响.还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂巾的Al-Ga的互扩散系数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林涛	西安理工大学电子工程系	18	40	4.0	5.0
2	郑凯	中国科学院半导体研究所	15	61	6.0	7.0
3	马骁宇	中国科学院半导体研究所	93	616	12.0	21.0