生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响

• 作者: 吴春霞 申德振 范希武
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子辅助分子束外延 MgZnO合金 原位反射式高能电子衍射 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 671-675
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 3007字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.06.005

摘要

利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜.原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面.但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相-混合相-立方相的相结构转变,这与扫描电子显微照片的直观结果相对应.分析指出该结果是由生长温度和Ⅱ、Ⅵ族元素的化学剂量比共同决定的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴春霞		14	77	6.0	8.0
3	申德振		2	6	1.0	2.0
4	范希武		2	6	1.0	2.0