MOCVD法制备MgZnO合金薄膜

• 作者: 崔勇国 张宝林 张源涛 朱慧超 杜国同 杨树人
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 MgZnO合金薄膜 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 102-105
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.027

摘要

采用金属有机化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上生长MgxZn1-xO合金薄膜.c轴取向的MgxZn1-xO薄膜在600.～630℃温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等于0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角形纤锌矿结构,没有观察到MgO分相,此时薄膜的能带宽度可以在3.3～3.95eV之间调节.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜国同	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	41	204	8.0	13.0
2	朱慧超	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	3	4	1.0	2.0
3	张宝林	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	14	31	3.0	5.0
4	杨树人	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	16	52	4.0	7.0
5	张源涛	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	13	21	3.0	4.0
6	崔勇国	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	2	1	1.0	1.0