生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响

• 作者: 刘启佳 刘斌 吴真龙 徐峰 徐洲 谢自力 邵勇 陈鹏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaInN 金属有机物化学气相沉积 生长温度
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7194-7198
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.087

摘要

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长了铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900℃,对获得的样品进行对比分析发现:随着生长温度的升高.合金中的In组分单调降低,而Al组分则基本保持恒定.当合金薄膜的生长温度升高到850℃时,薄膜表面开始出现V型缺陷;生长温度进一步升高到900℃时,偏析In原子的脱吸附作用加剧,V型缺陷成核被弱化,使v型缺陷的特征尺寸和分布密度大幅降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘斌	南京大学物理系	39	97	6.0	8.0
2	邵勇	南京大学扬州光电研究院	17	183	8.0	13.0
3	陈鹏	南京大学扬州光电研究院	57	921	13.0	30.0
7	徐峰	南京大学扬州光电研究院	41	534	11.0	22.0
8	谢自力	南京大学物理系	19	44	5.0	6.0
9	刘启佳	南京大学扬州光电研究院	1	1	1.0	1.0
10	吴真龙	南京大学扬州光电研究院	1	1	1.0	1.0
11	徐洲	南京大学扬州光电研究院	1	1	1.0	1.0