化学机械抛光中背垫对硅片表面接触压强分布及宏观表面形貌的影响

• 作者: 冯连东 吕玉山 张辽远 王军
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 材料表面与界面 化学机械抛光 单晶硅片 接触压强分布 平面度误差
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 495-499
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2|TH161
• 字数: 3245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1093.2008.04.024

摘要

为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中背垫对接触压强分布的影响规律,建立了有背垫抛光过程的接触力学模型和边界条件,利用有限元方法进行了有背垫时的接触压强分布的计算与分析,并利用抛光实验对计算结果进行了验证,获得了硅片与抛光垫的接触表面压强分布形态,以及背垫的物理参数对压强分布的影响规律.结果表明,在有背垫时接触压强的分布仍存在不均匀性,而且在硅片外径邻域内接触压强最大,这导致了被加工硅片产生平面度误差与塌边.增加背垫的弹性模量和泊松比,可以改善接触表面压强分布均匀性,使硅片有效区域的平面度形貌变得更好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王军	沈阳理工大学机械工程学院	75	296	8.0	11.0
2	吕玉山	沈阳理工大学机械工程学院	69	290	9.0	13.0
3	张辽远	沈阳理工大学机械工程学院	48	238	10.0	13.0
4	冯连东		2	6	1.0	2.0