星用功率MOSFET器件总剂量效应试验研究

• 作者: 曹洲 杨世宇 田恺 薛玉雄 郭祖佑
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射效应 功率MOSFET器件 总剂量效应 7射线
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 538-542
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 3054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2008.03.022

摘要

本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60 γ射线辐照试验研究.在γ射线辐照过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线,得出被试器件的抗总剂量水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛玉雄	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	20	181	9.0	12.0
2	曹洲	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	19	181	9.0	12.0
3	杨世宇	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	17	161	9.0	11.0
4	田恺	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	15	120	7.0	10.0
5	郭祖佑	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	6	48	3.0	6.0