低温分子束外延InGaAs非晶薄膜的微观结构和光学性质

• 作者: 么艳平 乔忠良 刘春玲 李梅 薄报学 高欣
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体技术 InGaAs非晶薄膜 径向分布函数 吸收系数 光学带隙
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 页码范围: 1450-1453
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2259字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1093.2008.12.008

摘要

采用分子束外延技术制备了单层InGaAs非晶薄膜,V/Ⅲ束流比分别为40:1和60:1.测试了样品各元素的摩尔百分比及X射线衍射特征,并利用场发射扫描电镜观察了样品的表面形貌.由X射线衍射数据计算了径向分布函数和双体相关函数,并分析了样品中距中心原子最近邻原子的平均距离、最近邻原子的配位数和短程有序畴.同时,由透射谱计算了材料的近红外吸收系数,计算出两片InGaAs非晶薄膜样品的光学带隙分别为0.886 eV和0.822 eV.