光退火制备多晶硅薄膜的量子态现象

• 作者: 卢景霄 罗鹏辉 郭新峰 陈兰莉 靳瑞敏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PECVD法 非晶硅薄膜 光退火 量子态 晶粒大小
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 1195-1198
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.平均晶粒大小为30nm左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈兰莉		46	123	4.0	9.0
2	卢景霄	郑州大学材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	靳瑞敏		13	55	4.0	7.0
5	郭新峰		16	139	4.0	11.0
8	罗鹏辉		7	81	2.0	7.0