PDSOI SRAM单元的单粒子加固方法

• 作者: 吴春瑜 尹常永 杨毅
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子 SOI 静态随机存储器 加固
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 1181-1185
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 字数: 3153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2008.06.032

摘要

通过MEDICI的二维器件模拟,提出不仅在正栅下的体区受到单粒子入射后释放电荷,漏极也可以在受到单粒子入射后释放干扰电荷.对SOI SRAM单元中器件的漏极掺杂浓度进行优化,可以减小漏极受到单粒子入射所释放的电荷.改进了SOI SRAM的单元结构,可以提高SRAM抗单粒子翻转(SEU)的能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴春瑜	辽宁大学物理系	56	150	6.0	9.0
2	尹常永	沈阳工程学院自动控制工程系	27	84	4.0	7.0
3	杨毅	辽宁大学物理系	2	4	1.0	2.0