高压pLEDMOS器件在不同应力条件下导通电阻的衰退及改进方法

• 作者: 吴虹 孙伟锋 时龙兴 易扬波 李海松
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p型横向延伸漏金属氧化物半导体管 导通电阻衰退 热电子注入和俘获 厚栅氧
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 214-218
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 1613字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.005

摘要

实验测试结果揭示高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下,导通电阻的衰退结果不同,半导体器件专业软件MEDICI模拟结果表明Si/SiO2表面的陷阱产生以及热电子的注入和俘获导致了高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下产生不同的导通电阻衰退.文中同时提出了一种改进方法:用场氧代替厚栅氧作为高压pLEDMoS器件的栅氧,MEDICI模拟结果显示该方法可以明显降低/减缓高压pLEDMOS导通电阻的衰退.